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美联储将启动年内首次加息 年内加息4次预期升温

2018-08-21 00:41 来源:黑龙江电视台

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在人才政策中,不能单纯只看到优惠政策。(记者孙奇茹)

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  此次新政将允许来中关村的外籍知名专家学者以及中关村企业的境外员工,换发多次入境有效的访问签证,从而免去频繁办理短期签证入境的麻烦,这将为外籍专家学者到中关村高校院所、科研机构交流访问提供极大便利。近日,记者赴多地调研发现,很多城市能够在招才的同时,做好人才规划和配套工作,为人才发挥作用提供良好的软环境,但仍有个别省份因规划难以落实、工作力度不够,陷入了“招不来留不住”的尴尬境地。

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美联储将启动年内首次加息 年内加息4次预期升温

2018-08-21 21:14:54 来源:人民日报客户端-赵展慧 王政 冯华
日前,美国商务部宣布对中兴通讯采取出口管制措施,国内产业界十分关注。这一事件会不会阻碍我国高技术产业快速发展?人民日报记者采访了工业和信息化部有关负责人及行业专家。
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  日前,美国商务部宣布对中兴通讯采取出口管制措施,国内产业界十分关注。这一事件会不会阻碍我国高技术产业快速发展?我们如何应对各种冲击?人民日报记者采访了工业和信息化部有关负责人及行业专家。

  出口管制不会阻碍中国高技术产业快速发展步伐

  国家发改委宏观经济研究院常务副院长王昌林表示,美国商务部宣布对中兴通讯采取出口管制措施,将对我国高技术产业发展带来一定影响,但不会阻碍中国高技术产业快速发展步伐。

  王昌林认为,这是因为中国在全球高技术产业链中处于重要地位。如果美国大规模限制对中国关键技术的出口,无疑将对中国造成影响,也势必同时也打击美国和日本、韩国的电子信息产业。而且,还要看到,美国等发达国家制造业主要是靠高技术制造业支撑的,如果高技术产业大幅下滑,还将影响美国相关的研发服务等行业和纳斯达克等资本市场,从而对美国经济和全球经济产生重大影响。

  我国高技术产业创新取得重要进展,具备加快做大做强的诸多优势。王昌林分析,我国已经形成了体系完整、配套齐全、能力巨大的产业体系,并初步形成了一批创新型龙头企业;经过多年的努力,目前我国在芯片、操作系统等领域拥有一批自主知识产权的技术和产品,并在国防军工等领域实现规模化应用,具备了加快高技术产业做大做强的较好基础;国内市场规模和发展潜力巨大,可依托庞大的内需推进核心技术的研发和产业化,这是其他许多国家所不具备的。

  王昌林表示,实践证明,贸易摩擦和技术壁垒难以阻碍一个国家高技术产业发展。上世纪70年代,在半导体产业领域,美国和日本爆发了多年的贸易战,但并没有阻碍日本半导体产业的崛起。又如,前些年美国等国家对我国光伏产业实施了“双反”调查,也没有阻碍我国光伏产业快速发展步伐。而且,从航空航天、碳纤维等行业看,发达国家的技术封锁反而加快了这些行业自主创新能力的提升。

  中国有条件、有能力、有办法应对冲击干扰

  工业和信息化部部长苗圩表示,当前,我国在完善基础设施、丰富人力资本、完备产业体系、广阔市场空间、高效动员体制等方面形成了突出优势。我国产业技术水平越来越接近全球前沿,整体处于技术追赶后半程,高铁、特高压输变电、通信设备、网络应用等部分领域跻身世界先进行列。

  “尽管中兴通讯事件暴露出我国在传统芯片中存在短板,但我们有条件、有能力、有办法应对创新发展过程中的冲击和干扰。”中国电子信息产业发展研究院装备研究所所长左世全说,我国的技术创新优势体现在四个方面:规模雄厚的产业优势、世界上最大的制造业需求潜力、集中力量办大事的制度优势和无可比拟的人才资源优势。

  工信部电子司有关负责人介绍,近年来,我国芯片设计业规模和质量稳步提升,细分领域实现较大突破,国产芯片对关键领域的支撑能力显著增强,先进工艺生产线建设速度不断加快,封装测试业接近国际先进水平。

  工信部副部长罗文指出,当前要突出抓好制造业创新中心建设,面向行业关键共性技术,解决行业反映突出的专用设备、材料、工艺等共性问题,跨越科技成果工程化、产业化的“死亡之谷”。罗文说,顺势而为、前瞻部署,加强战略谋划和统筹协调,推动互联网、大数据、人工智能和制造业深度融合,促进先进制造业快速健康发展,我国就一定能抓住新一轮科技和产业革命的历史机遇,中国制造业创新的道路也会越走越开阔。

  我国高端芯片研制已具备基础

  十三五国家重点研发计划“光电子与微电子器件及集成”重点专项专家组组长、中科院半导体所副所长祝宁华表示,我国近年来不间断地支持光电子领域的科技创新,取得了丰硕的创新性成果。

  祝宁华介绍,仅从“863”计划的十二五规划来看,国家针对宽带通信、高性能计算机、骨干网络、光交换、接入网、无线通信和微波光波融合等领域方向中的光电子器件进行了重点部署。“这些研发项目有很多都是前瞻布局的,中兴通讯此次受到限制的所有芯片,在十二五和十三五国家研究计划中,都有相应的部署。”

  祝宁华分析,当前我国在光电子高端芯片研制上已具备基本条件。据了解,为实现自主创新发展,我国于2008年实施了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”,经过9年攻关,成功打造了我国集成电路制造业创新体系。专项实施前,国内集成电路制造最先进的量产工艺为130纳米,研发工艺为90纳米。9年来,我国主流工艺水平提升了5代,55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产,22、14纳米先导技术研发取得突破,已研制成功14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品,性能达到国际先进水平。

  十三五国家重点研发计划宽带通信和新型网络重点专项专家组成员、北京大学教授李红滨表示,我国通信行业正在经历一个从低端到高端的发展过程。“只要我们坚持已有的开放、竞争合作、共同发展道路不动摇,集中政府、研发机构、企业的优势力量,相信用不了太久,在产业链高端——核心芯片上也必然会取得同样令世人瞩目的成就。”李红滨说。

  (编辑:王威)

  责任编辑:王威

作者: 编辑:未来网新闻侯智

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